SK Hynix анонсирует 3D NAND 8-го поколения: более 300 слоев сложены для повышения производительности SSD

SK Hynix недавно объявила подробности о памяти 3D NAND восьмого поколения с более чем 300 сложенными слоями, которая, как ожидается, появится на рынке к концу 2024 или началу 2025 года.

  Мы в Telegram

Из официального объявления SK Hynix стало известно, что стек 3D NAND 8-го поколения дорос до более чем 300 слоев, имеет емкость 1 ТБ (128 ГБ), имеет трехуровневые ячейки и битовую плотность более 20 Гбит/мм^2 ( битовая плотность).

Чип имеет размер страницы 16 КБ, 4 плоскости, скорость передачи интерфейса 2400 МТ/с и максимальную пропускную способность 194 МБ/с (на 18% быстрее, чем 238-слойная 3D NAND 7-го поколения).

Почти удвоение битовой плотности новой памяти NAND будет означать значительное увеличение производительности в расчете на одну пластину для нового производственного узла, а также снизит затраты SK Hynix, хотя неясно, насколько.


Нажмите здесь, чтобы узнать больше новостей


Leave a Comment

Your email address will not be published. Required fields are marked *